أعلنت شركة آي بي إم عن تطوير تقنية جديدة لإنتاج رقائق إلكترونية بدقة تقل عن نانومتر واحد، في خطوة قد تمثل تحولاً كبيراً في مستقبل الحوسبة والذكاء الاصطناعي.الأسواق تتفاعل مع الإعلان سجل سهم الشركة ارتفاعاً ملحوظاً عقب الإعلان عن التقنية الجديدة، وسط تفاؤل المستثمرين بإمكاناتها في تعزيز أداء المعالجات الإلكترونية وتطوير الجيل المقبل من الرقائق.100 مليار ترانزستور في مساحة صغيرة أوضحت الشركة أن التقنية الجديدة تسمح بدمج نحو 100 مليار ترانزستور في مساحة لا تتجاوز حجم ظفر الإصبع، ما يعادل ضعف الكثافة التي وفرتها رقاقتها السابقة بدقة 2 نانومتر.أداء أعلى وكفاءة أكبرتوفر الرقائق الجديدة:زيادة في الأداء تصل إلى 50%.تحسين كفاءة استهلاك الطاقة بنسبة تصل إلى 70%.وهو ما يجعلها مناسبة لتشغيل تطبيقات الذكاء الاصطناعي ومراكز البيانات التي تتطلب قدرات معالجة ضخمة.تصميم مبتكر ثلاثي الأبعاد يعتمد الابتكار على هيكل جديد للترانزستورات يقوم على تكديسها عمودياً داخل الرقاقة بدلاً من توزيعها بشكل أفقي، ما يسمح بزيادة القوة الحاسوبية دون الحاجة إلى توسيع مساحة الشريحة.الإنتاج التجاري خلال خمس سنوات تتوقع آي بي إم أن تبدأ عمليات الإنتاج التجاري لهذه التقنية خلال السنوات الخمس المقبلة، فيما لم تكشف حتى الآن عن الشركة التي ستتولى تصنيع الرقائق على نطاق واسع.تعزيز المنافسة في سوق الرقائق يمنح هذا الإنجاز آي بي إم أفضلية تقنية في سباق تطوير أشباه الموصلات، في وقت تتسابق فيه الشركات العالمية لتقديم معالجات أكثر قوة وكفاءة لتلبية الطلب المتزايد على تطبيقات الذكاء الاصطناعي.خطوة نحو مستقبل الحوسبة المتقدمة يمثل هذا التطور محطة مهمة في مسيرة صناعة الرقائق الإلكترونية، وقد يفتح المجال أمام جيل جديد من المعالجات القادرة على توفير أداء أعلى واستهلاك أقل للطاقة، بما يدعم التطور المتسارع في تقنيات الذكاء الاصطناعي والحوسبة الحديثة. !function(f,b,e,v,n,t,s) {if(f.fbq)return;n=f.fbq=function(){n.callMethod? n.callMethod.apply(n,arguments):n.queue.push(arguments)}; if(!f._fbq)f._fbq=n;n.push=n;n.loaded=!0;n.version='2.0'; n.queue=[];t=b.createElement(e);t.async=!0; t.src=v;s=b.getElementsByTagName(e)[0]; s.parentNode.insertBefore(t,s)}(window, document,'script', ' fbq('init', '268133171773918'); fbq('track', 'PageView');
"آي بي إم" تكشف عن أول تقنية رقائق إلكترونية بدقة أقل من 1 نانومتر
